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王守武（1919--2014 ） 留学美国，博士。江苏苏州人。
1941年上海同济大学机电系毕业，留校任教。
1945年留学美国，在普度大学研究生院攻读工程力学，1946年获硕士学位。
1949年获博士学位。之后在工程力学系任助教一年。
1950年回国，任中国科学院应用物理研究所电学组组长，后任中国科技大学物理系主任。
1960年中国科学院半导体研究所正式成立，被任命为副所长。
1980年当选为中国科学院技术科学部委员。是中国物理学会常务理事，北京市物理学会副理事长。回国初期曾参加过太阳灶的研制，并开始研究氧化亚铜整流器。
1956年设计制造了我国第一台拉制锗的单晶炉，并拉出了锗单晶。研制成功了我国第一批锗合金管和合金扩散管。并筹建了我国较早的一个晶体管工厂。
著有《关于p-n 合金结中少数载流子的注射理论》、《用触针下分布电阻的光电衰退来测量半导体中少载流子的寿命》、《平面Germ器件中的雪崩驰豫振荡》等。 |
