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王守觉(1925--2015 ) 留学苏联。江苏苏州人。
1942年考入上海同济大学，1949年毕业后，任北平研究院镭学研究所助理员。1950年到上海新成电器厂工作。
1953年任一机部第二设计分局动力科主任设计师。1956年任中国科学院物理研究所副研究员。
1957年赴苏联留学，在列宁格勒、莫斯科和基辅等地四个半导体所学习，并在列宁格勒列别捷夫研究所从事研究。在留学期间研制了一种具有n型负阻特征的半导体器件。
1958年回国，任中国科学院半导体研究所研究员，在国内首次研制成锗合金扩散高低频晶体管。
1960年任半导体研究所半导体器件研究室主任，研制成功了第一批硅平面型晶体管，并获1964年国家科委一等奖。
1980年当选为中国科学院技术科学部委员。是中国电子学会、中国仪器仪表学会理事。长期从事电子学领域的研究，专长于半导体元件的研制。
1966年首次用曝光拼合方式图形发生法制成了大规模集成电路掩模，达到国际领先水平。
1976年提出了多元逻辑电路具有工艺过程简单、成品率高、速度快等优点，1978年根据这种新的结构思想，研制成功具有130个与非门功能的大规模集成的DYL12位高速先行进位发生器。
著有《n型标准三极管》、《关于晶体管最高振荡频率有关因素的测量分析》、《积木式图形发生器及其图形发生方式》、《一种新的高速集成逻辑电路(DYL)》等。 |
