李志坚

李志坚(1928-2011)留学苏联，副博士。半导体物理学家，微电子技术专家。中国共产党党员。浙江镇海人。

1951年毕业于浙江大学物理系，后任教于同济大学。1952年，被派为留苏研究生，翌年进入列宁格勒大学物理系，在A·列别捷夫院士指导下，对半导体物理及半导体薄膜电学和光学性质进行研究。1958年3月获得列宁格勒大学物理学——数学副博士学位，同年回国。历任清华大学半导体教研组主任、微电子学研究副所长、所长，清华大学校务委员会委员、党委委员。中国电子学会副理事长，半导体和集成技术学会副主任委员及半导体学报编委会副主任委员等职务，同时还是国务院电子振兴领导小组顾问组、国务院学位委员会学科组及国家发明奖评选小组的成员。

出版专著四部，国内外发表学术论文160余篇。 曾获国家科技进步二等奖，国家发明二等奖，陈嘉庚信息科学奖，“何梁何利”科技进步奖。主要论文有《硫化镉和硒化镉薄膜慢电子轰击电导的能量分布》(俄文)《绝缘衬底上硅膜的激光侧向外延》《高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火》《《硅耗尽层少子产生率的强电场效应》《微电子技术的发展和展望》。专著及译著有《半导体物理学》《半导体物理基础》(上)，合编《半导体材料硅》，主编《MoS大规模集成技术》(上下册)。