成众志

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出生年

1921年

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留学国家

美国

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籍贯

湖南省

成众志(1921~)湖南湘乡人,国民政府参军处中将成济安之子,半导体专家。

1943年毕业于重庆中央大学电机系。

1945年赴美留学,1947年获哈佛大学电信工程系硕士学位。

后在RCA美国无线电公司工作,期间与罗无念等合著《Transistor Electronics》,成为国际上半导体电子学界的经典著作。

1955年与母亲任瘦青和兄长成竟志一家绕道欧洲回国,在中科院应用物理所任副研究员,后到半导体所任电子学实验室主任。曾参加国务院1956—1967年“十二年科学技术发展远景规划”的电子学、半导体两个规划小组,并亲自执笔编写“晶体管电子学”的规划内容。“文革”期间受迫害,1978年提前退休,赴美HP公司工作,后定居美国加州。